随着AI算力基础设施持续扩容，高速光模块正经历从800G向1.6T、3.2T的快速迭代。据LightCounting转引的行业预测，2026年全球数通以太网光模块市场规模有望达到285亿至300亿美元。在这一过程中，SiP与Chiplet等异质集成技术成为光器件小型化、高密度化的关键路径，多层堆叠共晶封装的重要性随之凸显。
然而，传统单共晶台设备在大规模生产和多层堆叠工艺之间往往难以兼顾：半成品离线周转容易引入磕碰、偏移与氧化风险，多机串联方案则增加设备投入和工艺复杂度，制约良率与效率。针对这一行业痛点，卓兴半导体推出AS8138高精度共晶机，以双共晶台架构为核心，尝试在同一平台内解决多层堆叠与批量制造的矛盾。
双工位设计：并行量产与内部二次堆叠并行
AS8138在单机内集成两套共晶工位，原生支持两种作业模式。第一种为双工位并行量产模式，两个共晶台同步执行相同产品的共晶作业，适用于标准化器件的大批量连续生产，可在单位时间内提升产出。
第二种为本机闭环二次堆叠模式：第一个共晶台完成首层芯片焊接后，半成品无需取出设备，直接内部流转至第二个共晶台进行二次堆叠。整个制程处于设备腔体保护环境中，避免半成品暴露在外部空气中或受到机械碰撞，从而减少氧化、位移等问题，保障多层堆叠的对准精度和焊点可靠性。
可选配置覆盖倒装与多工位调度
为适配更多封装场景，AS8138支持选配180°芯片翻转机构，可在机内完成芯片姿态换向，省去外部预翻转步骤，适用于倒装类共晶工艺。同时，可选配鱼骨夹具轨道和转塔式搬运系统，6支吸嘴协同完成取晶、拍照对位、半成品跨工位转运等动作，实现取料、检测、共晶的闭环流转，提高整机节拍和贴装一致性。
在物料兼容方面，该设备支持晶圆、华夫盒、GELPAK等主流来料形式，配备6个子母环位，可通过适配器切换不同载体，最多选配4种顶针，满足多物料混线生产需求。半封闭负压氮气腔体配合高速温控系统，升温速率可达100℃/s，降温速率50℃/s，最高工作温度400℃，有助于抑制金锡焊接过程中的氧化并减少空洞，拓宽工艺窗口。
核心指标与智能对接
精度方面，AS8138贴装单元X/Y定位精度为±3μm，角度精度±0.1°，芯片尺寸覆盖0.15mm×0.15mm至10mm×10mm，可处理MEMS、COC等多类产品。设备支持双向对接MES系统，实现制程数据全流程追溯，并可扩展自动上下料模块，适配不同自动化产线需求。
行业人士认为，随着800G进入规模化量产、1.6T加速落地、3.2T启动样品验证，高速光模块对共晶设备的精度、效率和工艺柔性要求将进一步提升。双共晶台架构通过减少离线周转、集成多层堆叠能力，有望为下一代光通信器件封装提供更高效的国产化方案。
卓兴AS8138的推出，标志着国产高精度共晶设备在应对多层堆叠量产难题上迈出一步。未来，该方案能否在光模块产线中快速导入并验证长期可靠性，将成为市场关注重点。
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