在功率半导体国产替代加速的浪潮中，长晶科技（江苏长晶科技股份有限公司）凭借深厚的技术积累与持续的产品创新，构建起覆盖分立器件、电源管理IC及晶圆的全品类产品矩阵。从二极管、三极管等传统优势产品，到MOSFET、IGBT、第三代半导体等高端领域，长晶科技以“研发驱动”为核心，不断突破技术壁垒，成为国内少数具备全产业链自主可控能力的综合型半导体企业。
打造“一站式”供应体系
长晶科技主营产品涵盖二极管、三极管、MOSFET、IGBT等分立器件、电源管理IC以及分立器件晶圆，具备上万种规格型号的量产能力，是国内产品门类齐全、系列丰富的分立器件与电源管理IC企业之一。这一多元化产品布局使长晶科技能够为下游消费电子、工业控制、汽车电子、新能源、机器人及服务器等数十个行业领域提供系统解决方案。
MOSFET是公司重点打造的第二增长曲线，已在市场中占据一定份额，处于高速发展阶段。根据芯谋研究数据，2024年，国内MOSFET市场规模为57.52亿美元，是分立器件市场占比高的品类。2022年至2025年，长晶科技MOSFET产品收入由3.25亿元增长至8.13亿元，复合增长率达到 35.82%，远超行业增速。其中，长晶科技自主研发的 CSP MOSFET 于 2022 年实现规模化量产并持续迭代，已在小米、三星、荣耀、传音等主流手机品牌中规模化应用。
在IGBT领域，长晶科技开发的大功率IGBT单管及模块产品，覆盖650V至1700V的电压范围，产品性能可对标国际一线品牌的产品，已在光伏储能、充电桩等领域实现突破。电源管理IC产品线则包括线性稳压器、电压基准源、DC-DC开关转换器等，广泛应用于手机、家电、服务器、汽车电子等场景。
深化IDM垂直整合
除产品设计外，长晶科技在晶圆制造和封装测试环节也积累了核心工艺技术。晶圆制造方面，子公司新顺微拥有高密度多样化封装背面金属化工艺、低正向肖特基二极管沟槽刻蚀工艺等，保障芯片性能一致性与良率。
在半导体封装工艺方面，长晶科技已储备高密度阵列式框架设计和封装结构设计技术、装片锡膏工艺技术。目前，公司一方面扩大二三极管封测的产能，另一方面将封装品类逐步拓展至 MOSFET 产品、IGBT 产品和电源管理 IC 产品， 不断提升封装测试环节自主可控能力。长晶科技凭借 IDM 经营架构的优势，在半导体设计、制造、封测等环节同步推进、协同研发，为公司未来的发展提供持续的动能。
目前，长晶科技已形成Fabless与IDM并行的独特模式，二极管、三极管等成熟产品通过IDM模式实现成本与供应链优化。2025年度，长晶科技子公司长晶浦联和海德半导体已具备合计约160亿颗/年的封测产能，子公司新顺微具备约180万片/年的晶圆产能，在分立器件领域形成全产业链核心技术自主可控的能力。
以持续创新驱动未来
展望未来，长晶科技将继续以市场需求为导向，持续扩充全系列MOSFET、IGBT及各类电源管理IC的产品规格与技术能力；稳步向新能源汽车、光伏储能、工业自动化、机器人、人工智能等高附加值领域拓展；依托IDM模式垂直整合，加速新产品迭代，优化成本结构，提升供应链安全性。
长晶科技秉持“创造世界一流半导体品牌”的愿景，以“市场引领”和“研发驱动”为双轮，向具备国际竞争力的功率与模拟半导体综合供应商稳步迈进。长晶科技，正以硬核技术与完整产品矩阵，为中国功率半导体产业的高质量发展注入强劲动力。
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